讲座题目：化学气相沉积石墨烯单晶和粉体 主讲人：于庆凯 教授 主持人：袁清红 研究员 开始时间：2020-10-15 10:00 讲座地址：闵行校区光学大楼A408会议室 主办单位🧑🏻💼：精密光谱科学与技术国家重点实验室
报告人简介： 于庆凯🪲，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员。长期从事碳基材料生长工作🩸🚴🏻♂️，包括CVD方法生长石墨烯薄膜，石墨烯粉体🎅🏽🚣🏻，三维石墨烯结构，铜碳复合材料等👃🏻💆🏻♂️。在Nature Materials, Advanced Materials等国际期刊发表学术论文60余篇🐦，获得美国发明专利两件。 报告内容： 化学气相沉积（CVD）是低维材料生长的重要手段。其中，在过去的十年中⛑👩🏿🎨，CVD在石墨烯薄膜的生长取得诸多进展。然而♘，如何使用CVD生长石墨烯大单晶仍有挑战。另外如何能够利用CVD生长石墨烯具有低缺陷密度的优势，可以大规模生长石墨烯粉体也是尚未解决的问题𓀍🗽。我们的工作在石墨烯大单晶和粉体两方面开展工作，拓展CVD方法在石墨烯生长领域的可能性👨🏼🍳。我们发现铜镍合金镍元素的存在明显提高石墨烯的生长速度，并可以降低形核密度，通过局部供碳技术得到石墨烯大单晶。另外，我们通过鼓泡法在熔融铜中通入天然气，在铜与气氛界面生长石墨烯，并由气泡带走，以粉体形式为最终产物。由于此方法为连续生长法🎋，现阶段实现在30升的容器中，日产三公斤石墨烯🙇🏻♂️。此石墨烯粉体显示出良好的导电性。 Nenov, Francesco Segatta, Marco Garavelli, and Shaul Mukamel. (in preparation) |
